- Цели и задачи дисциплины
- Отразить приемственность нано- и микроэлектроники. Изучить особенности наноэлектроники ( технологии, физической основы, конструкции и работы приборов) как принципиально нового направления техники и технологии в области электроники. Решаемые задачи : Изучить сущность новых технологий: нанолитографии, молекулярно- лучевой эпитаксии, зондовой микроскопии и т.п.. Научиться применять уравнения Шредингера для решения задач взаимодействия электронов с неоднородностями, потенциальными барьерами. Изучить варианты конструкций наноэлектронных транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и других элементов ИМС.
- Краткое содержание дисциплины
- Введение в предмет. Основные тенденции интегральной электроники и их реализация в области минимальных технологических размеров менее 100 нм. Технологические особенности обусловленные увеличением степени интеграции на чипе и уменьшением размеров элементов микросхем. Повышенные требования к качеству кристаллов полупроводниковой основы микросхем. Новые методы получения чипов и реализации литографии при формировании топологии ИМС. Достоинства и проблемы, обусловленные новыми методами и технологиями. Туннелирование и интерференционные эффекты при электронном транспорте. Квантовая проводимость, эффект Холла, Аоронова-Бома. Применение стационарного одномерного уравнения Шредингера для решения задач электроники. Автоэлектронная эмиссия. Изучение конструктивных и технологических особенностей наноэлектронных транзисторов. диодов различного назначения, конденсаторов, химических источников тока, резисторов. Изучение электронных свойств наноструктур . Перспективы углеродной наноэлектроники.
- Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины
- Выпускник должен обладать:
- ОПК-1 Способен использовать положения, законы и методы естественных наук и математики для решения задач инженерной деятельности